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       由于缺乏電子帶隙，常規石墨烯無法實現邏輯電子學中的關閉狀態。因此，這種特性使得石墨烯一直無法用于下一代場效應晶體管。在這項工作中，我們在6H-SiC臺面結構的側壁上生長了高質量的扶手式石墨烯納米帶。角分辨光電子能譜(ARPES)和掃描隧道能譜測量揭示了由量子受限效應驅動的具有寬度依賴性的半導體帶隙的發展。此外，ARPES展示了基于石墨烯環境中實現的理想的一維電子行為，包括分辨良好的子帶組成，沿著和跨越納米帶分別表現為色散和非色散。我們的實驗結果與緊束縛計算相結合，為更深入地探索量子受限現象奠定了基礎，并為新型低功耗電子技術開辟了有趣的途徑。
 
 
Fig. 1 在6H-SiC側壁上外延生長的AGNRs的結構特性。
 
  
Fig. 2 一維受限AGNE的電子結構。
 
  
Fig. 3 費米面。
 
  
Fig. 4 電子結構垂直于碳帶方向。
 
        相關研究成果于2020年由開姆尼茨工業大學Hrag Karakachian第一作者，發表Nat. Commun.( https://doi.org/10.1038/s41467-020-19051-x)上。原文：One-dimensional confinement and width-dependent bandgap formation in epitaxial graphene nanoribbons。

轉自《石墨烯雜志》公眾號