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      我們分析了液體門控、室溫石墨烯量子點中的噪聲。這些設備顯示非常大的噪聲振幅。通過考慮施加的源極-漏極和柵極電勢的波動，根據電荷噪聲模型來解釋觀察到的噪聲。我們發現，液體環境和基質對觀測到的噪聲影響很小，因此將噪聲歸因于無序石墨烯邊緣的電荷捕獲/釋放。單個電荷的捕獲/釋放可以通過控制器件進行調整，從而導致測量電流中穩定的兩級波動。這些結果對電子石墨烯納米器件在單分子生物傳感中的應用具有重要意義。
  
Fig. 1 (a)設備幾何形狀的示意圖。(b)測量裝置示意圖。
 
 
Fig. 2 (a)被測電流隨源極漏電壓和門極電壓的穩定性圖。(b) VSD=120mv時的門極電壓函數。(c)對于VG = -180 mV，電流是源-漏電壓的函數。
 
 
Fig. 3 (a) VSD = 120mv, VG = −60mv時的電流-時間跟蹤實例。(b)噪聲頻譜的石墨烯量子點和寬500 nm，長10μm石墨烯絲帶。
 
 
Fig. 4 (a) VSD = 120mv(藍色圓點)時的RMS電流噪聲與跨導(綠色線條)的關系。(b) VSD = 120mv時，測量和模擬RMS電流噪聲作為VG的函數。(c)在VSD = 120 mV時，測量和模擬I-t道與VG的關系。
 
 
Fig. 5 在HfO₂和SiNx上，模擬和測量的rms噪聲(標為誤差)之間的殘差平方總和作為模擬電位波動標準偏差的函數進行比較。
 
 
Fig. 6 (a)兩個i - t道的電平波動及其對應的電流值。(b)高、低電流狀態的占空變化作為門電壓的函數。(c)設備中尖銳電流尖峰的示例，以及(d)這些電流尖峰持續時間的分布。
 
      相關研究成果于2019年由牛津大學材料系Jan A. Mol課題組，發表在Nanoscale (DOI: 10.1039/c9nr08574b)上。原文：Large amplitude charge noise and random telegraph ?uctuations in room-temperature graphene single-electron transistors